电流-电压（I-V）特性实验显示，南方MAPbI3 /PEDOT:PSS复合材料器件在正负5mV范围内展示出典型的赛贝克效应I-V特性曲线。

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电网高角度环形暗场扫描透射电子显微镜(HAADF-STEM)和相应的元素(Sb,C,N)映射图像的Sb@CNFs(如图1g)进一步证实了Sb纳米颗粒被很好的包裹在薄的碳纳米盒中。正如图1a所示，期网改Sb@CNFs被合成是通过MOFs参与的静电纺丝策略与受限离子交换耦合，随后进行热还原合成的。